竹歳 和久 | NHK総合技術研究所
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概要
関連著者
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竹歳 和久
NHK総合技術研究所
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安藤 文彦
Nhk技研
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竹歳 和久
国士舘大学工学部
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安藤 文彦
Nhk放送技術研究所 立体映像音響
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竹歳 和久
NHK
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竹歳 和久
NHK放送技術研究所
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谷岡 健吉
NHK放送技術研究所
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安藤 文彦
Nhk放送技研
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安藤 文彦
Nhk放送技術研究所
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宮田 憲治
オリンパス光学
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富田 憲治
オリンパス光学工業株式会社
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安藤 文彦
Nhk 技研
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安藤 文彦
日本放送協会放送技術研究所
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竹歳 和久
日本放送協会放送技術研究所
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山崎 順一
NHK放送技術局
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安藤 文彦
NHK
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菅原 正幸
日本放送協会放送技術研究所
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神津 薫
国士舘大学工学部
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菅原 正幸
NHK放送技術研究所
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河村 達郎
株式会社日立製作所電子デバイス事業部
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河村 達郎
日立
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斎藤 仁
国士舘大学工学部
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設楽 圭一
NHK放送技術研究所
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河村 達郎
浜松ホトニクス
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設楽 圭一
日本放送協会 放送技術研究所
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佐藤 一威
国士舘大学工学部
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菅原 正幸
日本放送協会 放送技術研究所
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松沢 幸雄
オリンパス光学工業株式会社
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河村 達郎
NHK放送技術研究所
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浅利 悟郎
旭硝子
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松沢 幸雄
オリンパス
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平井 忠明
浜松ホトニクス
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安藤 文彦
NHK放送技術研究所イメージデバイス研究部
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渡辺 克巳
Nhk総合技術研究所
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河村 達郎
NHK
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中村 一彦
オリンパス光学
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今井 正晴
オリンパス光学
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今井 正晴
オリンパス光学工業(株)
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高嵜 幸男
日立
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下元 泰治
浜松ホトニクス
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高崎 幸男
日立
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遊佐 厚
オリンパス光学工業株式会社半導体技術センター
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谷岡 健吉
Nhk
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竹歳 和久
国士館大学工学部
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尾田 淳一
国士舘大学工学部
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山崎 晴幸
国士舘大学工学部
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田中 克
Nhk放送技術研究所イメージデバイス研究部
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菅原 正幸
Nhk
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遊佐 厚
オリンパス光学
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田中 克
NHK放送技術研究所
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佐々木 肇
農工大
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中村 力
オリンパス光学工業(株)半導体技術センター
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福田 篤志
国士舘大学工学部
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辻 和隆
(株)日立製作所 日立研究所
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辻 和隆
日立
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小楠 千早
NHK
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小楠 千早
NHK総合技術研究所
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中村 力
オリンパス
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中村 力
オリンパス光学
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山田 秀俊
オリンパス光学
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河村 達郎
日本放送協会 放送技術研究所
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鮫島 賢二
日立
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牧島 達男
日立
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染宮 克利
国士館大学工学部
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劉 奇志
国士舘大学工学部
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平井 忠明
日立中央研究所
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曾根 武彦
東京電機大・現日本ビクター
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斉藤 仁史
東京電機大・現協栄産業
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石岡 祥男
日立中央研究所
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西川 健太郎
国士舘大学工学部
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菅原 信希
国士舘大学工学部
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山田 秀俊
オリンパス
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竹本 益生
国士舘大学 工学部
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後藤 善信
国士舘大学工学部
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野中 育光
(株)日立製作所電子デバイス事業部
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山崎 順一
Nhk
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江上 典文
NHK放送技術研究所
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藤田 欣裕
NHK放送技術研究所
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山崎 順一
日本放送協会 放送技術局
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佐々木 肇
東京農工大学
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岡崎 三郎
Nhk放送技術研究所材料・デバイス
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藤田 欣裕
日本放送協会放送技術研究所
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福田 篤志
国土館大学工学部
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竹歳 和久
国土館大学工学部
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斎藤 栄次郎
国士舘大学工学部
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野中 育光
日立
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山岸 敏郎
日本放送協会
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山岸 敏郎
NHK放送技術研究所
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小杉 美津男
NHK放送技術研究所
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山崎 順一
日本放送協会
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藤田 欣裕
日本放送協会 放送技術研究所
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小杉 美津男
NHK福岡放送局
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後藤 直宏
(株)日立製作所電子デバイス事業部
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加藤 真一
日立
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加藤 真一
日立製作所茂原工場
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灘波 正和
NHK放送技術研究所
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平井 忠明
日立製作所中央研究所
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中村 力
オリンパス光学工業株式会社応用研究部
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平井 忠明
日立
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平井 忠明
株式会社日立製作所中央研究所
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高崎 幸男
株式会社日立製作所茂原工場
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長妻 一之
(株)日立製作所 中央研究所
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長妻 一之
日立
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鮫島 賢二
(株)日立製作所中央研究所
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平井 忠明
(株)日立デバイスエンジニアリング
-
平井 忠明
日立デバイスエンジニアリング
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牧島 達男
(株)日立製作所中央研究所NHK放送技術研究所
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石岡 祥男
日立
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辻 和隆
(株)日本製作所中央研究所
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牧島 達男
(株)日本製作所中央研究所
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鮫島 賢二
(株)日本製作所中央研究所
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長妻 一之
(株)日本製作所中央研究所
-
平井 忠明
(株)日本製作所中央研究所
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神津 薫
国士館大学工学部
-
西川 健太郎
国士館大学工学部
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斎藤 仁
双信電機
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竹本 益生
国士館大学工学部
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高崎 幸男
日立中央研究所
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野中 育光
日立茂原工場
-
高嵜 幸男
日立製作所茂原工場
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佐藤 清志
東京電機大学:(現)大日本印刷株式会社
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青木 洋信
オリンパス光学工業株式会社
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染宮 克利
国士舘大学工学部
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雲内 高明
株式会社日立製作所茂原工場
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イリダナ テレウーハン
国士舘大学工学部
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泉谷 弘志
国士館大学工学部
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斎藤 仁
国士館大学工学部
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丸山 浩二
国士館大学工学部
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田中 克
Nhk
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浅利 悟郎
旭硝子中央研究所
-
浅利 悟郎
旭硝子・中央研究所
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田中 克
NHK・放送技術研究所
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安藤 文彦
NHK・放送技術研究所
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竹歳 和久
NHK・放送技術研究所
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趙 林春
国士舘大学工学部
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上村 一弘
国士舘大学工学部
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岩淵 剛士
国士舘大学工学部
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浅利 悟郎
旭硝子株式会社中央研究所
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淺利 悟郎
旭硝子株式会社中央研究所
-
岡崎 三郎
Nhk放送技術研究所
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塚越 康正
日立電子
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塚越 康正
東京電機大
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中村 力
オリンパス光学工業株式会社
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設楽 圭一
NHK技術研究所
著作論文
- 3)AMIのノイズ特性およびCCDとの比較(〔テレビジョン電子装置研究会 画像表示研究会〕合同)
- 2-15 非晶質セレン積層型2/3インチ25万画素AMI
- AMIのノイズ特性およびCCDとの比較
- 3)増幅型固体撮像素子AMIのFPN解析(〔テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 増幅型固体撮像素子AMIのFPN解析 : 方式・回路 : 電子装置
- 電荷蓄積動作時のAPD利得制御解
- 高速道通行車輌揺らぎ分布模型の考察
- AMIとCCDにおけるX線損傷の比較
- 1-4 ハイビジョン用1インチ全静電型HARP撮像管(第2報)
- 20)増幅型固体撮像素子 : 構成と特性(〔テレビジョン電子装置研究会(第147回) 画像表示研究会(第113回)〕合同)
- 増幅型固体撮像素子 : 構成と特性
- 超高感度アバランシェ増倍型撮像管 : ハーピコンの超高感度化と雑音特性の検討
- 1-1 アバランシェ方式撮像管における雑音の検討
- 電子ミクロホトメータによる微弱回折線の測定
- GaAs薄膜の構造と移動度
- 2)積層型AMI(情報入力研究会)
- 積層型AMI
- 7)増幅型固体撮像素子AMI(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 3)非晶質セレンを用いたアバランシェターゲットの雑音軽減機構の考察(情報入力研究会)
- 増幅型固体撮像素子AMI : 情報入力コンシューマエレクトロニクス
- 非晶質セレンを用いたアバランシェターゲットの雑音軽減機構の考察
- 撮像デバイスの高感度化 : 光子雑音の直接測定と撮像デバイスのSN比
- 増幅型固体操像素子AMI(Amplified MOS Intelligent Imager)(固体撮像技術)
- 4-3 増幅型固体撮像素子AMIの諸特性
- MC法によるa-Si・EBIC増倍過程
- 3)X線回析法による光導電ターゲットの構造解析(第2報)(テレビジョン電子装置研究会(第125回))
- X線回折法による光導電ターゲットの構造解析(第2報) : 薄膜ターゲットの非破壊組成決定法
- アバランシェ増倍a-Se光導電膜を用いた高感度HARP撮像管
- C-10-19 EB-AMIのノイズ特性
- アモルファス構造の表現
- C-6-10 新RMC法による大規模a-Teの構造
- 類似構成要素重畳法による大規模不規則分子の立体表現
- C-6-10 非晶質テルルの構造
- C-6-8 電子ミクロホトメータによる微弱回折像の測定3
- 画像処理によるX線回折像の修正と応用
- イメージオルシコン用MgO薄膜ターゲットの構造
- 6)イメージオルシコン用多酸化物ターゲット(第91回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 3)イメージオルシコン用酸化物薄膜ターゲットの結晶学的解析(第89回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 2)蒸着装置付電子顕微鏡とこれを用いたCs蒸着膜の観察(第89回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 2-9 アバランシェ動作非晶質Se光導電膜(HARPターゲット)
- 2)高感度ターゲットにおけるSN比の考察(テレビジョン電子装置研究会)
- 1)光導電型ターゲットの高感度化(テレビジョン電子装置研究会)
- 高感度ターゲットにおけるSN比の考察 : 新しい最小二乗法によるa-Seターゲットのイオン化係数の導出
- 光導電型ターゲットの高感度化 : 非晶質Se光導電ターゲットによるアバランシェ動作実験
- 増幅型固体撮像素子AMIにおける固定パターン雑音の解析
- 3-4 撮像素子AMIの開口形状の考察
- 5)光-パルス変換CaAsディジタルセンサ(情報入力研究委員会)
- 光-パルス変換GaAsディジタルセンサ : 画像入出力 : 情報入力
- 22-3 光-パルス変換GaAs・IC
- 高臨場感2ドームスクリーンシステムの開発研究
- C-6-1 非晶質 SeTe 合金薄膜の構造
- 2-2 MSM型GaAsホトセンサーの特性
- 3-1 n-i-n GaAsセンサの特性
- 資料 非晶質半導体材料構造の進展
- 画像処理によるX線回折像の修正と応用II
- SiTe2薄膜の構造
- X線回折法及び質量分析法による光導電ターゲットの構造解析
- 新しい液体電極を用いた蒸着装置の開発と応用
- 高速度ビーム走査による光導電形撮像管 : M-Tスペーシングのシステムへ及ぼす影響
- 高速度ビーム走査による光導電形撮像管-ビームアクセプタンス特性の測定による動作機構の解析
- 2-9 高感度撮像素子の雑音の解析II
- 2-11 高感度撮像デバイスにおける雑音の解析
- 9)撮像デバイスの高感度化 : 光子雑音の直接測定と撮像デバイスのSN比(〔テレビジョン電子装置研究会(第144回)面像表示研究会(第107回)〕合同)
- 3-4 増幅形固体撮像素子のランダムノイズ