3)イメージオルシコン用酸化物薄膜ターゲットの結晶学的解析(第89回テレビジョン用電子管研究委員会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1966-10-01
著者
関連論文
- 3)AMIのノイズ特性およびCCDとの比較(〔テレビジョン電子装置研究会 画像表示研究会〕合同)
- 2-15 非晶質セレン積層型2/3インチ25万画素AMI
- AMIのノイズ特性およびCCDとの比較
- 3)増幅型固体撮像素子AMIのFPN解析(〔テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 増幅型固体撮像素子AMIのFPN解析 : 方式・回路 : 電子装置
- 電荷蓄積動作時のAPD利得制御解
- 高速道通行車輌揺らぎ分布模型の考察
- AMIとCCDにおけるX線損傷の比較
- 1-4 ハイビジョン用1インチ全静電型HARP撮像管(第2報)
- 20)増幅型固体撮像素子 : 構成と特性(〔テレビジョン電子装置研究会(第147回) 画像表示研究会(第113回)〕合同)
- 増幅型固体撮像素子 : 構成と特性
- 超高感度アバランシェ増倍型撮像管 : ハーピコンの超高感度化と雑音特性の検討
- 1-1 アバランシェ方式撮像管における雑音の検討
- 電子ミクロホトメータによる微弱回折線の測定
- GaAs薄膜の構造と移動度
- 2)積層型AMI(情報入力研究会)
- 積層型AMI
- 7)増幅型固体撮像素子AMI(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 3)非晶質セレンを用いたアバランシェターゲットの雑音軽減機構の考察(情報入力研究会)
- 増幅型固体撮像素子AMI : 情報入力コンシューマエレクトロニクス
- 非晶質セレンを用いたアバランシェターゲットの雑音軽減機構の考察
- 撮像デバイスの高感度化 : 光子雑音の直接測定と撮像デバイスのSN比
- 増幅型固体操像素子AMI(Amplified MOS Intelligent Imager)(固体撮像技術)
- 4-3 増幅型固体撮像素子AMIの諸特性
- MC法によるa-Si・EBIC増倍過程
- 3)X線回析法による光導電ターゲットの構造解析(第2報)(テレビジョン電子装置研究会(第125回))
- X線回折法による光導電ターゲットの構造解析(第2報) : 薄膜ターゲットの非破壊組成決定法
- アバランシェ増倍a-Se光導電膜を用いた高感度HARP撮像管
- C-10-19 EB-AMIのノイズ特性
- アモルファス構造の表現
- C-6-10 新RMC法による大規模a-Teの構造
- 類似構成要素重畳法による大規模不規則分子の立体表現
- C-6-10 非晶質テルルの構造
- C-6-8 電子ミクロホトメータによる微弱回折像の測定3
- 画像処理によるX線回折像の修正と応用
- 4-13 拡大ターゲット形イメージオルシコン
- 2)記録管(第93回テレビジョン用電子管研究委員会)
- イメージオルシコン用ガラスターゲットの張力測定法
- 1)イメージオルシコン用ターゲットアセンブリーの改良(第5回テレビジョン電子装置研究委員会)
- イメージオルシコン用高利得ダイノード
- イメージオルシコン用MgO薄膜ターゲットの構造
- 6)イメージオルシコン用多酸化物ターゲット(第91回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 3)イメージオルシコン用酸化物薄膜ターゲットの結晶学的解析(第89回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 2)蒸着装置付電子顕微鏡とこれを用いたCs蒸着膜の観察(第89回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 1)イメージオルシコン用高利得ダイノード(第89回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 2)金蒸着によるターゲットメッシュの張力増加(第83回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 複合MgOターゲットを用いたイメージオルシコン
- 感光性ガラスの一応用
- 2-9 アバランシェ動作非晶質Se光導電膜(HARPターゲット)
- 2)高感度ターゲットにおけるSN比の考察(テレビジョン電子装置研究会)
- 1)光導電型ターゲットの高感度化(テレビジョン電子装置研究会)
- 高感度ターゲットにおけるSN比の考察 : 新しい最小二乗法によるa-Seターゲットのイオン化係数の導出
- 光導電型ターゲットの高感度化 : 非晶質Se光導電ターゲットによるアバランシェ動作実験
- 増幅型固体撮像素子AMIにおける固定パターン雑音の解析
- 3-4 撮像素子AMIの開口形状の考察
- 5)光-パルス変換CaAsディジタルセンサ(情報入力研究委員会)
- 光-パルス変換GaAsディジタルセンサ : 画像入出力 : 情報入力
- 22-3 光-パルス変換GaAs・IC
- 高臨場感2ドームスクリーンシステムの開発研究
- C-6-1 非晶質 SeTe 合金薄膜の構造
- 2-2 MSM型GaAsホトセンサーの特性
- 3-1 n-i-n GaAsセンサの特性
- 資料 非晶質半導体材料構造の進展
- 画像処理によるX線回折像の修正と応用II
- SiTe2薄膜の構造
- 7)X線回折法および質量分析法による光導電ターゲットの構造解析(〔テレビジョン電子装置研究会(第126回)画像表示研究会(第86回)〕合同)
- X線回折法及び質量分析法による光導電ターゲットの構造解析
- 4-13 高速度ビーム走査光導電形撮像管
- 2)新しい液体電極を用いた蒸着装置の開発と応用(テレビジョン電子装置研究会(第88回))
- 新しい液体電極を用いた蒸着装置の開発と応用
- 18)高速度ビーム走査方式による光導電形撮像管 : メッシューターゲットスペーシングのシステムに及ぼす影響(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 3)高速度走査による光導電形撮像管ビームアクセプタンス特性の測定による動作機構の解析(テレビジョン電子装置研究会(第74回))
- 2)SECターゲットのビーム走査による変形の機構の解析(テレビジョン電子装置研究会(第58回))
- 高速度ビーム走査による光導電形撮像管 : M-Tスペーシングのシステムへ及ぼす影響
- 高速度ビーム走査による光導電形撮像管-ビームアクセプタンス特性の測定による動作機構の解析
- 2-9 高感度撮像素子の雑音の解析II
- 2-11 高感度撮像デバイスにおける雑音の解析
- 9)撮像デバイスの高感度化 : 光子雑音の直接測定と撮像デバイスのSN比(〔テレビジョン電子装置研究会(第144回)面像表示研究会(第107回)〕合同)
- 3-4 増幅形固体撮像素子のランダムノイズ