C-10-19 EB-AMIのノイズ特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-16
著者
-
竹歳 和久
国士舘大学工学部
-
安藤 文彦
NHK放送技術研究所イメージデバイス研究部
-
安藤 文彦
Nhk放送技術研究所
-
安藤 文彦
Nhk放送技研
-
安藤 文彦
Nhk放送技術研究所 立体映像音響
-
安藤 文彦
Nhk技研
-
安藤 文彦
Nhk 技研
-
佐藤 一威
国士舘大学工学部
-
神津 薫
国士舘大学工学部
-
竹歳 和久
NHK総合技術研究所
関連論文
- 3)AMIのノイズ特性およびCCDとの比較(〔テレビジョン電子装置研究会 画像表示研究会〕合同)
- 2-15 非晶質セレン積層型2/3インチ25万画素AMI
- AMIのノイズ特性およびCCDとの比較
- 3)増幅型固体撮像素子AMIのFPN解析(〔テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 増幅型固体撮像素子AMIのFPN解析 : 方式・回路 : 電子装置
- 電荷蓄積動作時のAPD利得制御解
- 高速道通行車輌揺らぎ分布模型の考察
- 増幅形固体撮像素子AMIの固定パターン雑音
- 水平3ライン同時出力を備えた増幅型固体撮像素子AMI
- 1/4インチ25万画素増幅型固体撮像素子AMI((固体撮像とその関連技術))
- 8)画像処理用信号出力を備えた増幅型固体撮像素子AMI(〔情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
- 画像処理用独立3ライン出力を備えた1/4インチ増幅型固体撮像素子AMI
- CMOSプロセスを用いた1/4インチ25万画素増幅型撮像素子
- 6)微細化にともなうAMIのFPN(情報入力研究会)
- 画像処理用信号出力を備えた増幅型固体撮像素子AMI : 情報入力,情報ディスプレイ
- 画像処理用信号出力を備えた増幅型固体撮像素子AMI
- 4)1/4インチ25万画素AMI([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 微細化にともなうAMIのFPN : 情報入力
- 1/4インチ25万画素AMI : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 3-11 Automatic Beam Optimizer用ICの開発
- 2)ABOのIC化設計(テレビジョン電子装置研究会(第76回))
- 4)電子打ち込み増倍型超高感度カメラ(〔情報入力技術研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
- 電子打ち込み増倍型超高感度カメラ : 情報入力,情報ディスプレイ
- 28-8 電子打ち込み増倍型a-Si : H積層AMI内蔵超高感度撮像素子
- AMIとCCDにおけるX線損傷の比較
- 20-9 3インチ型撮像面をもった電子打ち込みAMIによる百武彗星の撮影
- 1-1 固体HARP撮像素子におけるInマイクロバンプの最適化
- 4)マイクロバンプ方式アバランシェ光導電膜接合型固体撮像素子(情報入力研究会)
- 3インチ型撮像面をもった超高感度電子打ち込みAMI
- 1-4 ハイビジョン用1インチ全静電型HARP撮像管(第2報)
- 20)増幅型固体撮像素子 : 構成と特性(〔テレビジョン電子装置研究会(第147回) 画像表示研究会(第113回)〕合同)
- 増幅型固体撮像素子 : 構成と特性
- マイクロバンプ方式アバランシェ光導電膜接合型固体撮像素子
- バンプ接合型HARP固体撮像素子
- 5.固体撮像技術の多機能化(高密度固体撮像素子)
- 18)ランダムノイズの視感度特性がら見た固体撮像デバイスの最適設計([テレビジョン電子装置研究会(第140回) 画像表示研究会(第104回)]合同)
- 電子ミクロホトメータによる微弱回折線の測定
- GaAs薄膜の構造と移動度
- 3-10 近接集束形SECビジコン
- 2)近接集束型SECビジコン(第43回テレビジョン電子装置研究会)
- 単結晶GaAs積層型AMI
- 増幅型固体撮像素子AMIにおける垂直2画素混合の条件
- 18-4 AMIの多目的駆動回路の開発
- 2)積層型AMI(情報入力研究会)
- 積層型AMI
- 7)増幅型固体撮像素子AMI(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 3)非晶質セレンを用いたアバランシェターゲットの雑音軽減機構の考察(情報入力研究会)
- 増幅型固体撮像素子AMI : 情報入力コンシューマエレクトロニクス
- 非晶質セレンを用いたアバランシェターゲットの雑音軽減機構の考察
- 撮像デバイスの高感度化 : 光子雑音の直接測定と撮像デバイスのSN比
- 増幅型固体操像素子AMI(Amplified MOS Intelligent Imager)(固体撮像技術)
- 4-3 増幅型固体撮像素子AMIの諸特性
- MC法によるa-Si・EBIC増倍過程
- 2-2 I.I.付きCCD超高感度ハンディカメラの開発
- CMD撮像素子を用いた広ダイナミックレンジ撮像方式
- 17-9 飽和回数カウンタを備えたCMOSイメージセンサ
- 17-1 リアルタイムフルデジタルイメージセンサ
- 単位画素内でA/D変換するデジタルイメージセンサ
- 単位画素向でA/D変換するデジタルイメージセンサ
- 単位画素内でA/D変換するデジタルイメージセンサ
- C-12-58 画素内ADCによるダイナミックレンジの拡大
- 3-5 増幅型固体撮像素子AMIの固定パターンノイズ除去方式
- C-10-19 EB-AMIのノイズ特性
- アモルファス構造の表現
- C-6-10 新RMC法による大規模a-Teの構造
- 類似構成要素重畳法による大規模不規則分子の立体表現
- C-6-10 非晶質テルルの構造
- C-6-8 電子ミクロホトメータによる微弱回折像の測定3
- 画像処理によるX線回折像の修正と応用
- 増幅型固体撮像素子AMIにおける固定パターン雑音の解析
- 3-4 撮像素子AMIの開口形状の考察
- 20708 3次元画像を活用した技術教育の実践(技術教育・工学教育(2),OS.2 技術教育・工学教育)
- 光-パルス変換GaAsディジタルセンサ---高機能ディジタル固体撮像素子をめざして
- 5)光-パルス変換CaAsディジタルセンサ(情報入力研究委員会)
- 光-パルス変換GaAsディジタルセンサ : 画像入出力 : 情報入力
- 22-3 光-パルス変換GaAs・IC
- シリコン振動膜の音波による励振状態の観測
- シリコンマイクロホンの感度に関する考察 -振動膜面積と背電極面積の関係-
- シリコンチップ上に電気音響変換素子を構成するマイクロホンの検討
- CMOSイメージセンサー
- 2-18 6倍速高速度カメラシステム(アクションアナライザ)の開発
- CMOSイメージセンサー
- 2-1 超高感度ハンディカメラ用撮像素子とその構成
- 高臨場感2ドームスクリーンシステムの開発研究
- C-6-1 非晶質 SeTe 合金薄膜の構造
- 2-2 MSM型GaAsホトセンサーの特性
- 3-1 n-i-n GaAsセンサの特性
- 資料 非晶質半導体材料構造の進展
- 画像処理によるX線回折像の修正と応用II
- SiTe2薄膜の構造
- CMOSイメージセンサー
- 増幅型固体撮像素子
- 1)高感度ハンディカラーカメラ(光・フィルム技術研究会)
- 高感度ハンディカラーカメラ
- 3-10 MCP-I.I.超高感度ハンディカメラの開発
- 2-9 高感度撮像素子の雑音の解析II
- 2-11 高感度撮像デバイスにおける雑音の解析
- 9)撮像デバイスの高感度化 : 光子雑音の直接測定と撮像デバイスのSN比(〔テレビジョン電子装置研究会(第144回)面像表示研究会(第107回)〕合同)
- 3-4 増幅形固体撮像素子のランダムノイズ
- CMOSイメージセンサの特徴と可能性