スタック・ダイ・パッケージにおけるシリコン・ストレスの検討(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
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概要
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本研究では、スタック・ダイ・パッケージについて、シリコンおよびその薄膜のストレスが構造の違いや組立工程でどのように変化するか、シミュレーション技術を使用し検討した。またシリコン・ダイの破壊応力を3点曲げ破壊試験で求めた後、その破壊応力を基に決定したスペーサーに対するダイのはみ出し(オーバーハング)の長さ、ダイの厚みに対して作成した安全設計ガイドラインを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-01
著者
-
雨海 正純
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング&特性研究グループ
-
山田 英一
日本テキサス・インスツルメンツ(株)
-
鈴木 豊
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング&特性技術研究室
-
阿部 賢史
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング&特性技術研究室
-
雨海 正純
日本テキサスインスツルメンツ(株)パッケージ開発部
-
阿部 賢史
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング・特性研究グループ
-
鈴木 豊
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社筑波テクノロジーセンターモデリング・特性研究グループ
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