フラッシュ・メモリを主記憶とするシステムのためのメモリ・アーキテクチャの検討

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概要

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不揮発性メモリであるフラッシュ・メモリとランダム・アクセス・メモリとを組み合わせることで、フラッシュ・メモリを主記憶として使用することを検討する。仮想記憶で用いるメモリ管理機構を応用し、ページの属性に応じてランダム・アクセス・メモリに割り当てる情報を管理する。ランダム・アクセス・メモリは、フラッシュ・メモリへの書き込み回数の削減と低速な書き込み速度の隠匿の2つの緩衝機能を果たす。また、読み出し時はランダム・アクセス・メモリに情報を記憶させないことで、ランダム・アクセス・メモリの容量を削減することができる。従来の記憶階層と本手法におけるページのリプレイスの回数を比較する実験を行い、本手法によってランダム・アクセス・メモリの容量が従来の記憶階層の約25%の時に両者の回数が等しくなる例を示す。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-10-16

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