識別可能な多値レベルを考慮したニューロンMOS論理素子設計手法
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概要
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ニューロンMOSトランジスタ (neuMOS) は複数の入力ゲートを持ち, 全入力信号の重みつき加算を行った結果に対してしきい動作をする高機能デバイスである. 本稿ではまずneuMOSがデバイス内部で多値論理を扱い, 内部で識別可能な多値レベル数がneuMOS回路を設計する上で大きな設計制約になることを述べる. 次にこれまで検討を行ってきた2段neuMOS回路の特徴と問題点を指摘し, 回路構成により自由度を持たせた多段neuMOS回路の構成を述べ, その設計手法を提案する. 最後に本手法を用いたすべての3変数論理関数に対する設計結果を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-18
著者
-
安浦 寛人
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
安浦 寛人
九州大学大学院システム情報科学研究科情報工学専攻
-
池 兼次郎
九州松下電器株式会社
-
安浦 寛人
九州大学 大学院 システム情報科学研究科
-
池 兼次郎
九州大学大学院システム情報科学研究科情報工学専攻
-
安浦 寛人
九州大学大学院 システム情報科学研究院
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