60mTと340mT静磁場曝露におけるサル腎細胞に感染した単純ヘルペスウイルスの増殖
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概要
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我々は,誘導電流が発生しない静磁場をサル腎細胞(Vero細胞)と単純ヘルペスウイルス1型(herpes simplex virus 1:HSV-1)の感染系に曝露し,HSV-1の増殖度合を観察した.磁場強度は60,340mTとし,曝露方向は細胞面に対して垂直および平行とした.その結果,磁場強度60mTでは増殖度合に変化は見られなかったが,340mTでは模擬曝露よりも増殖度合が減少する傾向となり,これは細胞面に対して垂直に曝露した方が顕著に現れた.以上のことから,ウイルス感染に対する静磁場曝露の影響として,強度および方向が関与しているものと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-23
著者
-
三澤 顕次
北海道工業大学医療工学部医療福祉工学科
-
有澤 準二
北海道工業大学医療工学部医療福祉工学科
-
木村 主幸
北海道工業大学医療工学部医療福祉工学科
-
有澤 準二
北海道工業大学
-
澤口 裕太
北海道工業大学工学研究科応用電子工学専攻
-
高橋 範行
北海道工業大学工学研究科応用電子工学専攻
-
木村 主幸
北海道工業大学 医療工学部 医療福祉工学科
-
澤口 裕太
北海道工業大学応用電子工学専攻
-
三澤 顕次
北海道工業大学
-
三澤 顕次
北海道工業大学大学院 工学研究科 応用電子工学専攻
-
澤口 裕太
北海道工業大学大学院工学研究科
-
高橋 範行
北海道工業大学大学院工学研究科
-
木村 主幸
北海道工業大学
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