ZnO/パイレックスガラス複合ダイアフラム構造を用いた圧電共振子

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概要

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本報告では、ZnO, パイレックスガラス複合ダイアフラム構造を用いた圧電薄膜共振子について述べる。本構造において、ZnOとパイレックスガラスの線膨脹係数が近いことから、ZnO/SiO_2構造共振子と比較して大面積かつ低歪みのダイアフラムが作製できる。理論解析により、この構造を用いた共振子は、20%程度の高い電気機械結合係数と零周波数温度係数が同時に実現可能であることが分かった。また、デバイスを試作した結果、基本共振において共振周波数298.7MHz、Q値970、2次共振で共振周波数497.5MHz、Q値858が得られた。さらに、ZnO単層の場合と比較して、周波数温度係数が改善されていることを確認した。
1994-04-27

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