ゾルゲル法によるPZT薄膜のUHF-SHF帯における超音波特性
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概要
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本報告では, ゾルゲル法によって最も作製し易い0.22-2.65μm厚PZT薄膜の超音波的性質について検討した. この膜厚のPZTで超音波デバイスを構成した場合, その共振周波数はUHFからSHF帯に及ぶ. その様な超高周波域で高精度の特性測定を行うには, 浮遊容量や寄生インダクタンスの影響低減が重要である. 測定方法並びに被測定デバイスの構造を検討し, UHF-SHF帯におけるPZT薄膜の電気的特性に対する測定法を確立した. そして, ゾルゲルPZT薄膜はUHF-SHF帯においても極めて大きな圧電性を有し, しかも誘電的特性も比較的良好であることが判った. 厚み縦振動トランスジューサを構築したところ, 共振周波数1.75GHzにおいて変換損失3.8dB以下, 共振周波数5.26GHzにおいて変換損失11dBを得た. さらに, SAWデバイスや薄膜バルク波共振子を試作し, その基本的特性を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-04
著者
-
橋本 研也
千葉大学工学研究科
-
山口 正恆
千葉大学工学研究科
-
南條 亮太
千葉大学工学部電気電子工学科
-
花嶋 直之
三菱マテリアル株式会社総合研究所
-
津々見 修司
三菱マテリアル株式会社総合研究所
-
米沢 政
三菱マテリアル株式会社総合研究所
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