対向ターゲットスパッタ法による酸化亜鉛薄膜の作製に関する一考察
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概要
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本報告では、対向ターゲットスパッタ法を用いたZnO圧電薄膜の作製条件について検討すると共に、得られた薄膜の諸特性について述べる。対向夕ーゲットスパッタ法は、低ガス圧で動作が可能で、高い膜堆積速度が実現可能である。絶縁物のスパッタにおいて、DC電源を用いた場合、異常放電が問題となる。これをDC電源と負荷との間に異常放電防止装置を導入することで完全に防止することができた。そして、作製条件を変えて実験を行い、最適条件(雰囲気ガスO_2 100% 7mTorr、堆積速度 1μm/h、基板温度100-200℃)を決定した。この最適条件でZnO膜を作製した結果、c軸分散性σ=0.22°、比抵抗 10^<12>Ω・cm、グレインサイズ 1000Åという非常に良好なZnO薄膜を実現する事ができた。
- 1996-06-21
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