CMOS SRAM ICの書込み時静的電源電流による論理故障検出法 (テストと設計検証論文特集)
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概要
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CMOS SRAM ICのメモリセルにデータを書き込む際に数十mAの静的電源電流が流れる. 本論文ではこの静的電源電流を測定し, メモリセル内に論理縮退故障が発生したSRAM ICを見つけ出す簡易検査法を提案している. その検査法の評価のため, その検査法を256kバイトSRAM ICの検査に適用している. そこではこの検査法ですべての論理縮退故障ICは検出できないが, 論理値測定による検査手法に比べ少ない検査入力数で約80%の論理故障ICを検出できている. またこの検査法を論理値測定による機能検査の前に実施することにより, 論理故障ICを検出するための検査時間が短縮される可能性が示されている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-25
著者
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