LEC GaAs結晶中の局所歪み : II. LEC GaAgにおける偏析現象

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概要

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• Strain distribution in (001) LEC-grown GaAs wafers was investigated mainly by means of X-ray reflection topography. Local strain fields were observed around <100> radii with fourfold symmetry for high dislocation density wafers and between <100> and <110> radii with eight-fold symmetry for low dislocation density wafers. The latter can be explained by taking Schmid factor destribution under a tangential stress being exerted along water periphery into account. Major dislocations contributing to the strain distnbution and dislocatron multiplication are thought to be screw ones.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1986-10-15

著者

• 石川 哲也

  高エネルギー研

• 石川 哲也

  高エネルギー物理学研究所放射光施設

• 北野 友久

  日本電気(株)基礎研究所

• 松井 純爾

  NEC 研究開発グループ

• 小野 春彦

  日本電気(株)基礎研究所

• 北野 友久

  日本電気(株)

• 松井 純爾

  日本電気(株)基礎研究所

• 小野 春彦

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

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