異方性エッチングプロセスの解析 : 側面方向エッチングが仕上がり形状精度に及ぼす影響
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概要
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It is known that a groove can be shaped toward a wafer orientation (depth direction) by anisotropic etching with a mask arranged to a certain crystal direction and the accuracy of finished profiles is damaged because of an effect of side etching (unexpected etching toward side direction). The present paper has analyzed this side etching process by the help of reaction cage effect theory in the previous paper and can quantitatively estimate both the rate of side etching and the accuracy of finished profiles.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1993-05-05
著者
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