ノボラック系ポジ型レジストにおける現像温度とレジスト特性との関係
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-11-25
著者
-
関口 淳
リソテックジャパン
-
田中 初幸
AZエレクトロニックマテリアルズ
-
石黒 啓太
金沢工業大学
-
谷口 克人
AZエレクトロニックマテリアルズ(株)
-
河野 昭彦
金沢工業大学
-
堀邊 英夫
金沢工業大学
-
齊藤 誠二
金沢工業大学
-
高橋 聖司
金沢工業大学
関連論文
- ノボラック系ポジ型レジスト中の感光剤量の相違による現像特性
- 炭酸エチレンを用いたイオン注入レジストの除去(半導体材料・デバイス)
- ノボラック系ポジ型レジスト中の感光剤量の相違による現像特性(半導体材料・デバイス)
- 直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)の結晶化度とLLDPE/Ni複合材料の抵抗率-温度特性との関係
- VUV/XUV領域の高次高調波計測のための蛍光体発光特性評価(電子ディスプレイ)
- 超高濃度オゾンガスによるノボラックレジストのアッシング(半導体材料・デバイス)
- 湿潤オゾンを用いたイオン注入レジストの除去技術
- ハーフトーンマスク用二層レジスト技術の開発
- ホトリソグラフィ用化学増幅レジストのシミュレーションパラメータの推算
- 液浸リソグラフィ用レジスト材料の評価技術
- 厚膜レジストにおける実測溶解速度を用いたプロキシミティ・リソグラフィ・シミュレーションの検討
- P.E.B.プロセスにおけるホトレジストの感光剤の拡散長の推算
- ホトレジスト現像パラメータ測定システムの開発
- ホトレジストの感光パラメータ(A,B,C)測定装置の開発
- ホトリソグラフィにおける実測溶解速度を用いたデフォーカスシミュレーションの検討
- 厚膜レジストにおける現像方法の違いによる解像性の検討(電子材料)
- 厚膜レジストの高解像化に関する検討
- ポリフッ化ビニリデンの溶媒キャスト法による結晶構造の制御
- レジスト開発用液浸ステッパ「AMPHIBIAN」 (全冊特集 ナノプロセス時代の半導体製造装置)
- 厚膜レダストにおけるプリベーク条件が解像性に与える影響(電子材料)
- 電子線リソグラフィシミュレーション用現像パラメータ測定システムの開発
- 樹脂/金属からなる導電性複合材料の温度-抵抗特性 (有機エレクトロニクス)
- 溶剤による化学増幅ネガ型ノボラックレジストの除去
- 水蒸気・水混合噴流の物理的作用の実験的評価 : ドライエッチング残渣除去・レジスト剥離・金属壊食
- リソテックのナノインプリントプロセス最適化技術 SU-8のナノインプリント適用を検証 各工程の温度管理でプロセスを最適化 (特集 ナノインプリント技術)
- EUV対応化学増幅レジストの脱保護反応の解析 (全冊特集 新材料の導入と半導体製造装置) -- (半導体試験・検査・分析装置)
- 離型プロセスを不要としたレプリカ転写プロセス (特設記事 マイクロマシン最前線)
- ナノインプリントにおけるプロセスの最適化技術--ナノインプリント評価装置「LTNIP-5000」 (特集 ナノテクノロジーの開発に有効な解析・評価ツール)
- リソテックのEUV用レジスト対応脱保護反応解析装置 (特集 リソグラフィ技術)
- P-105 水晶振動子式匂いセンサの分子認識膜の機能設計(ポスターセッション,2011年度日本味と匂学会第45回大会)
- ノボラック系ポジ型レジストにおけるプリベーク温度が現像特性に及ぼす影響
- PVDF/PMMAブレンドの溶媒キャスト法におけるPVDFの結晶構造制御
- タングステン加熱触媒体により生成した水素ラジカルによるレジスト用ベースポリマーの分解除去
- 炭酸エチレンへのエチレングリコール添加によるレジスト除去速度の向上
- Study of Chemical Structure and Removal of Positive-Tone Novolak Resist Having Various Prebake Temperature using Wet Ozone
- ノボラック系ポジ型レジストにおける現像温度とレジスト特性との関係
- 9-215 学生の相互評価によるアクティブラーニング型授業(I) : プレゼンテーションの向上を目指す取り組み((04)工学教育の個性化・活性化-III)
- 6-108 工作を通して音の科学を学ぶ理科教室: 手づくり音楽会((20)地域貢献・地場産業との連携-II)
- S054102 水蒸気と水の混合噴流によるレジスト除去([S05410]噴流,後流,およびはく離流れの基礎と応用:最前線(10))
- 樹脂/金属からなる導電性複合材料の温度-抵抗特性
- プリベーク温度の異なるノボラック系ポジ型レジストの湿潤オゾンによる除去性と化学構造