P.E.B.プロセスにおけるホトレジストの感光剤の拡散長の推算
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概要
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ホトレジストの露光後ベータ(P.E.B.)特性を明らかにするため,現像速度測定装置を利用したホトレジストのP.E.B.プロセスにおける感光剤の拡散長の推算方法について報告する.P.E.B.温度90℃,100℃,110℃,120℃について超高解像性i線ホトレジストTHMR-iP3000(東京応化工業社製)のP.E.B.プロセスにおける感光剤の拡散長を推定した.得られた値をホトレジスト形状シミュレータPROLITH/2に入力し,形状計算を行った.波長365nm,NA=0.5,コヒーレンスファクタ0.6の条件で0.4μmラインスペースのパターンのべストフォーカスおよび,-0.6μm,+0.4μmデフォーカスにおけるレジスト形状を計算し,更にSEM観察結果と比較し,本推定計算の方法の妥当性を検討した.その結果,シミュレーション結果と実測結果はほぼ一致しており,本推定計算の方法が妥当であることが確かめられた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-25
著者
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