ホトリソグラフィ用化学増幅レジストのシミュレーションパラメータの推算
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概要
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化学増幅レジストのPost Exposure Delay (P.E.D.)による解像性劣化が問題となっている.そこで, その特性を明らかにするために, リソグラフィシミュレーションの検討を試みた.その際, 従来レジストではDillのABCパラメータを用いてレジスト膜中の感光剤濃度分布を求めてシミュレーションパラメータ(感光材の拡散長, 表面難溶化パラメータ)を推算するが, 多くの化学増幅レジストではブリーチングが起こらないため(パラメータC=0)A, B, Cパラメータを求めるのが難しい.そこで, レジスト膜中の感光材濃度分布を用いる代わりに蓄積露光エネルギーを用いたシミュレーションパラメータの推定計算方法について検討した.KrFエキシマレーザ対応のt-BOC系化学増幅レジストのシミュレーションパラメータを推定した.得られた値をホトレジスト形状シミュレータPROLITHに入力し, 形状計算を行った.波長248nm, NA=0.5, コヒーレンスファクタ0.6の条件で0.25μmおよび0.30μmラインスペースのパターン形状を計算し, 更にSEM観察結果と比較して本推定計算方法の妥当性を検討した.その結果シミュレーション結果と実測結果はほぼ一致しており, 本推定計算の方法が妥当であることが確かめられた.また, P.E.D.が経過して解像性が劣化する原因は表面難溶化層がレジスト膜中の深い位置にまで形成されるためであることがシミュレーションからも確かめられた.
- 1998-06-25
著者
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