炭酸エチレンを用いたイオン注入レジストの除去(半導体材料・デバイス)

概要

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B, P, Asイオンを加速エネルギー70keVにおいて5×10^<13>〜5×10^<15>個/cm^2注入したノボラック系ポジ型レジストに関し炭酸エチレン(EC)による除去性を評価した.イオン注入量の増加とともに,すべてのイオン種でレジスト除去速度が遅くなった.5×10^<13>個/cm^2の注入量では,Bが注入されたレジストがAsやPのものに比較し除去速度が速かった.一方,5×10^<14>個/cm^2以上の注入量では,Bの方がAsやPのものに比較し除去速度が遅かった.イオン注入によるレジスト表面の硬化層の形成が不十分な低い注入量(5×10^<13>個/cm^2)では,レジスト表面及びレジスト断面の2方向から溶解が進むが,硬化層の形成が十分な高い注入量(5×10^<14>個/cm^2以上)では,レジスト断面からの溶解が支配的であった.5x10^<14>個/cm^2以上でBイオンの除去速度が遅くなったのは,硬化層の下の未注入レジスト層がAs→P→Bの順で薄くなるため,ECの断面からの溶解による除去が進みにくくなったためであると考察した.EC溶媒による未注入レジストの除去速度は,初期段階では数十μm/分であった.
2010-10-01