解説 半導体用化学増幅型レジストの開発
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- ノボラック系ポジ型レジスト中の感光剤量の相違による現像特性
- 炭酸エチレンを用いたイオン注入レジストの除去
- ハーフトーンマスク用二層レジスト技術の開発
- 炭酸エチレンを用いたイオン注入レジストの除去(半導体材料・デバイス)
- ノボラック系ポジ型レジスト中の感光剤量の相違による現像特性(半導体材料・デバイス)
- 直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)の結晶化度とLLDPE/Ni複合材料の抵抗率-温度特性との関係
- VUV/XUV領域の高次高調波計測のための蛍光体発光特性評価(電子ディスプレイ)
- 超高濃度オゾンガスによるノボラックレジストのアッシング(半導体材料・デバイス)
- 湿潤オゾンを用いたイオン注入レジストの除去技術
- ハーフトーンマスク用多層レジスト技術の開発
- ハーフトーンマスク用二層レジスト技術の開発
- 感光性ポリイミドを用いたプリント基板の開発
- 化学増幅系3成分レジストの開発--露光部の溶解促進によるレジスト高解像度化
- 解説 半導体用化学増幅型レジストの開発
- 半導体用化学増幅ポジ型電子線レジストの開発
- フッ素樹脂とアクリル樹脂からなるブレンド物の紫外線透過特性
- 光導波路デバイス作製のためのリソグラフィー技術の確立
- 高等教育機関における教育のあり方について
- 溶剤による化学増幅ネガ型ノボラックレジストの除去
- 日本の大学・試験・研究機関の研究(182)金沢工業大学 バイオ・化学部 応用化学科 堀邊研究室
- 高濃度オゾンガスによるレジストアッシング--環境に優しいオゾンを用いた感光性樹脂の除去
- 高濃度オゾンを用いたLCD製造用レジスト剥離装置 (特集:液晶パネルの洗浄および周辺技術)
- オゾンを用いたLCD用レジスト剥離技術 (特集1 環境技術)
- ポリフッ化ビニリデンの溶媒キャスト法による結晶構造の制御
- 樹脂/金属からなる導電性複合材料の温度-抵抗特性 (有機エレクトロニクス)
- 溶剤による化学増幅ネガ型ノボラックレジストの除去
- 水蒸気・水混合噴流の物理的作用の実験的評価 : ドライエッチング残渣除去・レジスト剥離・金属壊食
- LCD製造用多層レジスト技術
- レーザーによるレジスト剥離
- レーザーによるレジストの剥離性と基板との密着性
- レｰザｰレジスト剥離装置
- P-105 水晶振動子式匂いセンサの分子認識膜の機能設計(ポスターセッション,2011年度日本味と匂学会第45回大会)
- ノボラック系ポジ型レジストにおけるプリベーク温度が現像特性に及ぼす影響
- PVDF/PMMAブレンドの溶媒キャスト法におけるPVDFの結晶構造制御
- タングステン加熱触媒体により生成した水素ラジカルによるレジスト用ベースポリマーの分解除去
- 水晶振動子式匂いセンサの分子認識膜の機能設計
- Study of Chemical Structure and Removal of Positive-Tone Novolak Resist Having Various Prebake Temperature using Wet Ozone
- I121 水蒸気と水の混合噴流を用いたウェハ表面レジスト除去(一般講演(4))
- プリベーク温度の異なるノボラック系ポジ型レジストの湿潤オゾンによる除去性と化学構造