超高濃度オゾンガスによるノボラックレジストのアッシング(半導体材料・デバイス)
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概要
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微細加工プロセスで利用される酸素プラズマアッシング法は,高いレジスト除去効果と良好な反応制御性により広く使用されているが,微細化の進展に伴ってレジストの下層に与えるダメージが問題となっている.ダメージの少ない方法として,オゾンガスを用いた方法があり,本論文では,オゾンガスを濃縮し従来利用できなかった100%近い高濃度にするオゾン発生装置を用い,レジスト除去に適用した.その結果,高濃度オゾンガスを用いることにより,従来の無声放電式オゾナイザによるオゾンガスの場合(約5体積%)と比較して,より速いレジストアッシング速度を得ることができ,400℃の処理では約2倍の値が得られた.オゾン濃度以外のレジスト分解反応を促進するパラメータとして,処理圧力と温度が大きく影響することが分かった.結果として,400℃,3000Paのアッシング条件で,膜厚1.2μm,プリベーク温度120℃のノボラックレジストを1分以内に除去できることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-09-01
著者
-
山本 雅史
金沢工業大学ものづくり研究所
-
堀邊 英夫
金沢工業大学ものづくり研究所
-
三浦 敏徳
(株)明電舎基盤技術研究所
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花倉 満
(株)明電舎基盤技術研究所
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堀邊 英夫
金沢工業大学 バイオ・化学部 応用化学科
-
堀邊 英夫
金沢工大・ものづくり研究所
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堀邊 英夫
金沢工業大学
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