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日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所 | 論文
- 低雑音CCD電荷検出器 : 情報入力コンシューマエレクトロニクス
- FN-NOR型4値セルを用いた98mm^2、64Mbフラッシュメモリ
- ロジック混載用フラッシュメモリセルの検討
- 温度サイクル負荷時におけるLSIパッケージの封止樹脂クラックに関する解析
- ファイル応用1GbDRAM
- 不揮発性メモリとそのスケーリング
- マルチ・モード・パーソナル通信用低電圧広帯域BiCMOSトランシバー・チップ
- 400MHz 64ビットBiCMOS ALU
- 1.8-5.4GHz帯2V動作BiCMOSダウンコンバータ及びアップコンバータ
- SRAM用ビット線振幅最適化回路(ASC回路)
- P-channelアクセストランジスタSRAMセル(II)
- NMOS増幅器の高周波特性における短ゲート化の影響
- 異方性選択エピタキシャル成長を用いたギガビットDRAMコンタクト技術 : セルフアラインコンタクトパッドの形成
- ストライプパターンのデフォーカス特性を応用した層間膜平坦化技術
- 配線寸法変動起因のクロックスキューを抑制する配線構造の検討
- SIMOX基板に含まれる金属不純物の混入原因
- フラッシュメモリー過剰消去メカニズムの解析 : スケーリング則に対する新しい制約
- 2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御
- BiCMOSプロセス/デバイスの現状と将来展望 : 情報入力
- ULSI開発におけるCMPとその応用技術