BiCMOSプロセス/デバイスの現状と将来展望 : 情報入力

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概要

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• A short review of high performance BiCMOS technology is presented. Process design issues relating buried layer, epitaxial layer, well and isolation are briefly discussed. Then, SiGe base HBT-CMOS is demonstrated for future BiCMOS LSIs.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1991-12-20

著者

• 山崎 亨

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 山崎 亨

  日本電気(株) 超lsi開発本部

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