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日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所 | 論文
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- ULSIのデバイス不良と製造プロセスの解析 (LSIの評価・解析技術特集) -- (製造プロセス評価解析技術)
- エッチング/AFM法による拡散層の2次元分布評価
- (Ba,Sr)TiO_3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
- シリコン酸化膜界面の構造遷移層
- 短チャネルMOSFET特性を評価するための電気的なゲート長測定素子