エッチング/AFM法による拡散層の2次元分布評価
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概要
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MOSデバイスにおいて拡散層のキャリア濃度分布を2次元で直接測定することが必要になっている。今回その手法としてエッチング/AFM法について検討した。その結果、p型キャリア(B)測定にはエッチャントHF:HNO_3:CH_3COOH=4:40:10が、表面荒れやエッチング量-B濃度の相関から最適であることが分かった。このエッチャントを用いてp型・n型シリコン基板上の単純なBドープ構造について評価を行い、検出下限がB濃度3E18 atoms/cc と2E17 atoms/ccの間であること、pn接合位置が確認できることを示した。更に、よりデバイス構造に近い試料で拡散層の2次元分布測定を行い等濃度線を得た。
- 1996-11-14
著者
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