菊池 浩昌 | 日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

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関連著者

• 菊池 浩昌

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 北野 友久

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• 菊池 浩昌

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• 北野 友久

  日本電気(株)

• 小此木 堅祐

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• 小此木 堅祐

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• 浜田 耕治

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• 濱嶋 智宏

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• 小林 研也

  NEC 半導体(事)

• 高橋 美朝

  NEC 半導体(事)

• 北野 友久

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 濱嶋 智宏

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• 高橋 美朝

  Nec 半導体事業部

• 亀山 明子

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 児玉 紀行

  NEC ULSIデバイス開発研究所

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著作論文

• SOI基板で増速酸化が生じる臨界Cu汚染量
• 低コストなパワ-IC用貼り合わせSOI基板 (特集 デバイスに高性能化をもたらすSOI基板)
• 縦型DMOSFET出力タイプ・パワーIC用貼り合わせSOI基板
• ULSIのデバイス不良と製造プロセスの解析 (LSIの評価・解析技術特集) -- (製造プロセス評価解析技術)
• エッチング/AFM法による拡散層の2次元分布評価

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