高橋 美朝 | Nec 半導体事業部

スポンサーリンク

概要

• 高橋 美朝の詳細を見る
• 同名の論文著者
• Nec 半導体事業部の論文著者

関連著者

• 高橋 美朝

  Nec 半導体事業部

• 高橋 美朝

  NEC 半導体(事)

• 宮本 秀信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 佐藤 聖幸

  NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部

• 北野 友久

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 菊池 浩昌

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 宮本 秀信

  Nec

• 佐藤 聖幸

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 伊藤 幸雄

  NEC半導体事業部

• 高橋 美朝

  NEC半導体事業部

• 小石川 幸正

  NEC半導体事業部

• 菊池 浩昌

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 濱嶋 智宏

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小林 研也

  NEC 半導体(事)

• 北野 友久

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 濱嶋 智宏

  Nec Ulsiデバイス開研

• 二宮 仁

  NEC 半導体事業部

もっと見る 閉じる

著作論文

• Hブリッジ用低オン抵抗IPDプロセスの開発 : 耐圧53V,A・Ron=116mΩ・mm^2のHブリッジ用IPDプロセスの開発
• Hブリッジ用低オン抵抗IPDプロセスの開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
• 縦型DMOSFET出力タイプ・パワーIC用貼り合わせSOI基板
• パワーIC用トレンチMOSFETプロセスの開発

スポンサーリンク