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日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所 | 論文
- オンチップパルスジェネレータを用いた高周波パルス電流によるEM評価
- O.4μm BiCMOSプロセスを用いた高速、低電力比較器
- Alダマシンプロセスによる多層配線形成
- 2-10 分光特性に基づくCCDイメージセンサにおけるスミアの解析
- 2.4Gb/s光通信用1チップレシーバIC
- 温度サイクル負荷時におけるLSIパッケージの異種材料界面はく離の発生傾向に関する解析 : 第2報, 構成材料の機械的特性及び設計寸法の影響
- 温度サイクル負荷時におけるLSIパッケージの異種材料界面はく離の発生傾向に関する解析
- 科学的機械研磨による層間膜平坦化技術
- ULSIデバイス実現のための平坦化技術の必要性(機械的プラナリゼーション技術)
- チャージポンプ付きHigh-Beta BiCMOS(Hβ-BiCMOS)論理ゲート回路
- チタン・シリサイドプロセスにおける構造相転移の問題について
- ▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術
- ゲッタリングがデバイス特性に与える影響
- AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路
- PMOSアクセスメモリセルを使用した超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 「パズルコンセプト」 : CM0Sに比較して消費電力、集積度、コスト共に優れたLSIを提供するBiCMOS LSIのデザインコンセプト
- 低電圧BiCMOS用チャージポンプ回路
- BiCMOSにおける基板クロストークの評価
- CMPを用いた平坦化技術