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大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻 | 論文
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線に対する高感度化(半導体材料・デバイス)
- 反射型超音波変調スペックル光計測法
- リフレッシュ理科教室(関西支部)開催報告
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究(シリコン関連材料の作製と評価)
- B-1-36 衛星回線降雨減衰の多点観測による雨域の移動とサイトダイバーシティの関係(B-1.アンテナ・伝播A(電波伝搬,非通信利用),一般講演)
- MFMIS-FET不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価
- 放電電流過渡分光法によるSi上のBST薄膜のトラップ評価
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- 多数キャリヤ密度の温度依存性を用いた半導体中の不純物評価法
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 音波を用いたパイプの不連続部検出
- PNコード音波を用いたパイプの不連続部の検出
- B-1-41 Ku帯衛星回線における前線種類別降雨減衰特性と上空の風速との関係(B-1.アンテナ・伝播A(電波伝搬,非通信利用),一般セッション)
- 多結晶Si太陽電池用ウエハの正孔密度の温度依存性のインゴット中における場所依存
- 電子線照射によって生じるC変位による Al-doped 4H-SiC エピ膜中のアクセプタ密度減少について
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200kev電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化(シリコン関連材料の作製と評価)