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三菱電機 Ulsi技開セ | 論文
- マイクロプローブによるDRAMソフトエラーの評価
- スタック型キャパシタ構造の薄膜SOI-DRAMプロセス
- (窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコンによるフラッシュメモリの新規浮遊電極
- BSTキャパシタにおける成膜時及びポスト処理時酸化性の影響
- BSTキャパシタに対するポストアニールの影響
- 電極構造が高誘電体キャパシタの電気的特性に与える影響
- 酸素のその場ドーピングを行った白金電極上にスパッタ法で形成したBST薄膜キャパシタの電気的特性
- 3Dグラフィックスに適したRead/Write同時動作が可能な0.18um混載DRAMマクロ
- コントローラ内蔵CDRAMの開発[2] : アクティブプルアップ制御方式
- コントローラ内蔵CDRAMの開発[1] : リフレッシュ制御方式
- CPU直結型コントローラ内蔵 16M CDRAM
- 180MHz動作マルチプルレジスタ16MbシンクロナスDRAM
- 酸素のその場ドーピングを行った白金電極上にスパッタ法で形成したBST薄膜キャパシタの電気的特性
- 3次元形状不純物統合化プロセスシミュレータ
- 応力依存の粘性係数を考慮した粘弾性酸化シミュレーションの安定解法
- 0.8Vアレイ動作による,低消費・ワイドレンジDRAM
- ボディーコントロール回路を用いた低電圧/低消費電力SOI-DRAM
- 自動内部電源振幅制御データ保持モードを有する低消費電力DRAM
- サブ100nmに向けたModeling & Simulationの挑戦
- サブ100nmに向けたModeling & simulationの挑戦