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三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si 薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- エキシマ・レーザ・アニール法により形成されたpoly-Si薄膜結晶成長の遷移領域に関する検討
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長 : Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性
- エキシマ・レーザー・アニーリングにより形成された低温プロセスPoly-Si膜の結晶成長-Poly-Siグレインのエネルギー密度、ショット数への依存性-
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
- エキシマ・レーザー・アニールにより形成した低温多結晶Siのキャラクタリゼイション
- 多結晶Si薄膜の結晶欠陥と結晶粒径の関係
- イオン注入法による化学増幅型レジストのドライエッチング耐性の向上 : 化学増幅型レジストの表面改質の検討
- 7)イオンドープpoly-Si膜のエキシマレーザによる活性化とTFTへの応用(情報ディスプレイ研究会)
- イオンドープpoly-Si膜のエキシマレーザによる活性化とTFTへの応用
- HDTV用シングルチップビデオプロセッサ
- ビアホールエッチングによる高融点金属の変質とコンタクト特性
- コンタクトホールエッチングのSi表面へのダメージ
- ワンチップ15フレーム/秒メガピクセルリアルタイム画像プロセッサ
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- ダイレクトオンメタル構造のイオン注入有機SOG層間絶縁膜形成技術
- イオン注入有機SOG膜を用いた低誘電率層間絶縁膜形成技術
- イオン注入SOG膜のCMPプロセスへの適用
- TiN/Tiキャップ層を有するAl積層配線のエレクトロマイグレーション