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三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- 2層Al配線におけるビアコンタクトでの界面反応
- 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
- 電気的ストレスによるnおよびpチャネルPoly-Si TFTの劣化メカニズム
- L帯パワーアンプ用小型・高効率バイアス回路の検討
- GaAs MMICの低電圧・低電流化技術
- L帯小型・超低雑音MMIC増幅器
- L帯小型・超低雑音MMIC増幅器
- 利得可変MMICに通用した完全モノリシック負電圧発生IC
- マイクロ波電界効果トランジスタの雑音パラメ-タ新測定法
- +3V/0V動作・超小型デュアルモード(アンテナ/ローカル) : GaAs MESFETスイッチIC
- 超小形デュアルモード(アンテナ/ローカル)GaAs MESFETスイッチIC
- プラスチックパッケージを用いたGaAs SPDTスイッチICの超小形・高アイソレーション化
- 小型・高アイソレーションSPDT Switch IC
- L帯-10Wクラス低歪み低損失FETスイッチIC
- Sパラメータを用いた線形GaAs増幅器の新設計法
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
- 高性能多結晶Si薄膜トランジスタの作製と高精細LCDライトバルブの特性改善
- SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるPoly-Si薄膜の結晶性 (低温ポリSi TFTと有機EL技術)
- 固相成長とエキシマレーザアニール法で形成したPoly-Si薄膜の特性評価
- B-5-133 W-CDMA 用スクランブル符号生成器のハードウェア構成