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ルネサス テクノロジ | 論文
- HfSiO_x薄膜のXAFSによる局所構造解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- CVD-TiN/Tiバリアメタルのコンタクトプラグプロセスへの応用
- 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 過渡電流および定常電流を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 基板/酸化膜および酸化膜/ゲート界面の微細構造制御による酸化膜信頼性の向上
- グラフィック浮動小数点演算を強化した200MHz1.2W1.4GFLOPSプロセッサ
- グラフィック浮動小数点演算を強化した200MHz 1.2W 1.4GFLOPSプロセッサ
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- 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 基板/酸化膜および酸化膜/ゲート界面の微細構造制御による酸化膜信頼性の向上
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ビット線分離型メモリ階層方式とドミノ型タグ比較器を用いた1V 100MHz 10mWオンチップキャッシュ
- オフセット電圧に影響されないセンスアンプを搭載した6ns 4Mb CMOS SRAM
- 大容量、低電圧、高速動作に適したSRAMメモリーセル技術Stacked Split Word-line(SSW)セル
- 12.5ns 16Mビット CMOS SRAM