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(株)東芝半導体研究開発センター | 論文

• 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
• クロスポイント型セルに対応した2層ビット線構造をもつDRAM array
• 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
• SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
• [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• 大容量MRAMの展望
• 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
• 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
• 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
• Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
• 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
• 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
• MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
• 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• MRAM : 開発の最前線
• MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• Multi-stacked 1G cell/layer pipe-shaped BiCS flash memory (集積回路)
• STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討(新メモリ技術とシステムLSI)
• 高速大容量混載DRAM Pre-Fuse Wafer-LevelテストのためのBurst-Cycle Data圧縮方式(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般)
• 高速大容量混載 DRAM Pre-Fuse Wafer-Level テストのための Burst-Cycle Data 圧縮方式

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