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(株)ルネサステクノロジ | 論文
- 絶縁膜埋め込み型AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- C-2-2 定入力インピーダンス0.13μm CMOS経路切替形可変利得低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- 256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 低電圧対応WポリサイドデュアルゲートCMOS
- 画像信号処理の基本機能を有する三次元構造デバイス : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- レ-ザ-再結晶化法によるSOI
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- コンタクト特性を考慮したa-Si:H TFTの電気的特性の解析
- BSTキャパシタにおける成膜時及びポスト処理時酸化性の影響
- BSTキャパシタに対するポストアニールの影響
- 電極構造が高誘電体キャパシタの電気的特性に与える影響
- 酸素のその場ドーピングを行った白金電極上にスパッタ法で形成したBST薄膜キャパシタの電気的特性
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- ボディバイアス可変型SOI-CMOSドライバー回路