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(株)ルネサステクノロジ | 論文
- 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
- B_H_注入のミリ秒アニールに対する適用性(プロセス科学と新プロセス技術)
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- 広帯域BPSK CMOS復調回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- デュアルバンドCMOS RFパワーアンプ回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 電子線トモグラフィーを用いたNiシリサイド(NiSi_x)の3D形状評価技術
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 飛行時間型二次イオン質量分析によるNi_2Si-NiSi相変化の解析
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 局所歪みチャネル技術による高駆動能力55nmCMOSの作製
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- AND型フラッシュメモリの動向
- 65nm CMOSでの分周回路の検討
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定