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(株)ルネサステクノロジ | 論文
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- リエントラントフローショップ問題に対する局所探索法によるスケジューリング
- 独立に周波数制御可能な4320MIPS、SMP/AMP対応4プロセッサLSIの開発(集積回路とアーキテクチャの協創-プロセッサ,メモリ,システムLSI及び一般-)
- 情報家電用マルチコアSMP実行モードにおけるマルチグレイン並列処理(集積回路とアーキテクチャの協創-プロセッサ,メモリ,システムLSI及び一般-)
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- 非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
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- 情報家電用マルチコアSMP実行モードにおけるマルチグレイン並列処理(マルチコア,集積回路とアーキテクチャの協創-プロセッサ,メモリ,システムLSI及び一般-)
- サーチ不要な定数除数の逆数計算法(実用)
- 丸め方向間違いの少ない関数近似算法(実用)
- 階層グルーピング対応バリア同期機構の評価(マイクロアーキテクチャ,集積回路とアーキテクチャの協創〜どう繋ぐ?どう使う?マルチコア〜)
- Si注入技術を用いたNiシリサイド形成領域制御によるnMOSFETの異常ゲートエッジリーク抑制
- ペロブスカイト誘電体キャパシタのDRAM集積化技術
- 次世代DRAM用ペロブスカイト誘電体キャパシター (特集 半導体製造プロセス用ケミカルスの新展開(Part1))
- Ba_xSr_TiO_3薄膜のデバイス応用
- 1J2-5 共振ヤング率顕微鏡を用いたSiウェハー内の酸素析出物の評価(測定技術,映像法,非破壊評価II)
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
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