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(株)ルネサステクノロジ | 論文
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- トンネル電子が誘起する吸着分子のダイナミクス
- 19aTF-6 走査トンネル顕微鏡による原子・分子の操作の理論
- 走査トンネル顕微鏡によって誘起されるCu(100)上でのアセチレンのダイナミクス
- 30aTA-3 STMにより誘起される吸着子のダイナミクス : 非平衡グリーン関数を用いたアプローチ
- 走査トンネル顕微鏡によって誘起される吸着子のダイナミクス
- 25pTA-6 STMにより誘起されるCu(100)上のアセチレンの解離ダイナミクスII
- 25aT-5 STMにより誘起されるCu(100)上のアセチレンの解離ダイナミクス
- 24aW-7 STMにより誘起されるCu(100)上のアセチレンの回転ダイナミクス
- 31a-Q-12 STMにより誘起される吸着子のダイナミクス
- 26p-YM-2 STMによるCu(111)からのCOの脱離(II)
- 2p-YD-8 STMによるCu(111)からのCOの脱離
- ラジカル窒化シリコン酸窒化膜における窒素プロファイルのX線光電子分光分析による評価
- 原材料に起因したHf酸化膜中メタル不純物の分析とTDDB寿命への影響
- 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
- 高速/高信頼性 130nm-node MRAM
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製