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(株)ルネサステクノロジ | 論文
- 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
- AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
- 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
- ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発
- MOSFETドレイン電流の半導体浅溝素子分離(STI)構造起因応力によるレイアウト依存性(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
- C-2-3 5GHz帯CMOSソース接地FET切替形多段カスコード可変利得ドライバ増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
- 高出力HEMTのゲインマップによる線形性解析
- 単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT
- 単一電源動作高効率Pt埋め込みゲートInGaAsひずみチャネルダブルヘテロHEMT
- 最新RF回路技術動向(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- シリアルATA用自動キャリブレーション機能付きスペクトラム拡散クロック発生器(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- シリアルATA用自動キャリブレーション機能付きスペクトラム拡散クロック発生器 (コンシューマエレクトロニクス)
- SC-9-3 裏面エミッタ電極を有する小型 InGaP/GaAs コレクタアップ・トンネリングコレクタ HBT
- C-10-13 裏面放熱孔を有する InGaP/GaAs コレクタアップ HBT における熱安定動作のイオン打ち込み量依存性
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