イオン照射高分子の損傷分布
スポンサーリンク
概要
著者
-
菱田 俊一
物材機構
-
菱田 俊一
東京大学工学部工業化学科 : (現)東京大学理学部化学科
-
菱田 俊一
物質・材料研究機構 物質研究所
-
小林 慶規
産総研計測標準
-
平田 浩一
産総研計測標準
-
菱田 俊一
科学技術庁無機材質研究所
関連論文
- 28pYK-4 陽電子寿命-運動量相関計測によるアルカリ金属吸蔵石英ガラスの研究(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23aPS-41 カーボン系材料におけるコヒーレントフォノンのプラズモン増強(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 二次イオン質量分析を用いた酸化亜鉛薄膜のキャラクタリゼーション
- 28aXE-6 陽電子消滅コインシデンスドップラー測定法による1/1-AlReSi近似結晶の研究(28aXE 準結晶(理論,構造,物性(Al系)),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 19pYK-9 陽電子消滅法による1/1-AlReSi系近似結晶の研究(準結晶(構造,電子物性,表面,空孔),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 19pYK-8 Cd-Ca系準結晶及び近似結晶の低温領域における陽電子寿命変化(準結晶(構造,電子物性,表面,空孔),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pYQ-9 陽電子消滅法による1/1-AlReSiの欠陥サイトの研究(準結晶(構造),領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
- 14aWA-9 陽電子消滅法を用いた Cd-Ca 準結晶及び近似結晶の研究(準結晶 : 理論, 構造, 相安定性, 領域 6)
- 27pYC-11 陽電子消滅法によるAlPdReRu系準結晶の研究(準結晶(物性))(領域6)
- 24aT-2 Ag_2S/SrTiO_3(001)のヘテロエピタキシー
- コンビナトリアルイオン注入法を用いた化学センサ修飾
- 26aRC-2 環境に優しい低融点合金SnBi性能劣化の微視的研究(環境物理,領域13,物理教育,物理学史,環境物理)
- γ線照射によるシリカコーティングポリプロピレンの機械特性変化
- 酸素バリアーシリカ膜によるポリプロピレンの耐放射線性の向上
- 27aRE-6 陽電子消滅法によるナノ結晶材料中の核生成および成長過程の研究(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pWA-6 陽電子寿命 : 運動量相関計測による高分子中のナノ空孔解析(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30aXD-5 モット-ワニエ型ポジトロニウム状態の観測(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 分光エリプソメトリー及びエネルギー可変陽電子消滅法によるシリカスパッタ薄膜の細孔構造解析
- グラッシーカーボン粉末の熱プラズマ処理による表面修飾およびその電気化学特性
- 20pTC-7 有機高分子材料へのクラスターイオン照射による2次イオン放出(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aZB-9 炭素クラスターイオン照射による2次イオン放出(放射線物理(クラスター・2次粒子放出),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 19pPSB-26 Te/Ni(111)表面の√構造
- SrTiO_3-Bi_2O_3系コンデンサの粒界の伝導特性
- 減圧下での加熱処理によるPTCチタン酸バリウムセラミックスの劣化機構 : 物性・応用
- 27pPSA-13 NbB_2(0001)とZrB_2(0001)のXPS(領域9ポスターセッション)(領域9)
- リモージュセラミック工科大学(ENSCI)
- 26aRA-2 グラファイト表面におけるDモード・コヒーレントフォノンの振幅増強(26aRA 炭素系物質,領域7(分子性固体・有機導体))
- 材料クロスオーバー研究における陽電子の利用--高分子劣化の高感度検出の可能性 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 低速陽電子ビームによるポーラスシリカ薄膜の評価 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- イオン照射高分子の損傷分布
- 陽電子消滅法による高分子表面の空隙解析
- 26pYB-1 イオン照射Biにおけるコヒーレントフォノンの照射量依存性
- 25a-YN-11 イオン照射ビスマスのフォノンダイナミクス
- シリコンのプラズマ酸化における酸素イオンの効果
- アナターゼの電気伝導度
- 五酸化ニオブの添加による、アナターゼ-ルチル相転移の抑制 : 固溶体の生成と相転移の抑制の関係
- Nb_2O_5の添加によるアナターゼル-ルチル転移の抑制
- セラミックスの電磁気的・光学的性質 : VIII. プロセス薄膜プロセス(1)物理的手法
- 針葉樹状カーボンナノ構造体を用いた冷陰極X線源
- 自由体積挙動から観たシリコン基板上の高分子薄膜の構造
- ポーラスシリカ薄膜中におけるポジトロニウムの挙動
- 高分子中でのポジトロニウム形成とその挙動
- 28a-K-6 陽電子ビームで見たイオン注入シリコンのチャネリング効果
- 市販^Na密封線源の陽電子消滅寿命測定への適用性評価
- スピンキャストにおける前駆体溶液濃度のポリスチレン超薄膜物性への影響
- カーボンナノ構造体電子源を用いた冷陰極X線源による蛍光X線分析
- セラミックスにおける微量分析 (超微量物質の検出と同定)
- 酸化亜鉛超薄膜の合成 (特集 ウルツァイト化合物の合成と物性)
- 18pXK-6 クラスターイオンの照射効果とその応用(シンポジウム 光・粒子ビームで観る・創る-放射線物性の新展開-,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22aTE-8 グラファイトにおけるコヒーレントDモードフォノンの検出波長依存性(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pEE-9 C_イオンビームのガラスキャピラリー透過特性(22pEE 領域1,領域2合同企画講演(キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21pEB-12 有機高分子薄膜へのクラスターイオン照射と単原子イオン照射による2次イオン放出の比較(21pEB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21pEB-2 非磁性表面でのスピン偏極イオン散乱分光(21pEB 放射線物理(表面・バルク),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- イオンビームによる無機材料の結晶成長
- 低速陽電子消滅法による水処理用複合膜のサブナノ空孔解析
- 24pPSA-36 半金属Bi超薄膜における表面金属状態の時間領域THz分光(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))