p形無転位Siのライフタイムに及ぼす熱処理およびLiド-ピング効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長
- 非接触LBIC法による直接貼り合わせウェーハの貼り合わせ界面の評価
- 非接触LBIC法による貼り合わせSOIウェーハの評価 : ライフタイム及び表面再結合速度
- 貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価
- 窒素レーザを用いた反射マイクロ波法による薄膜SOIの評価
- 金属/シリコン界面の再結合状態の非接触評価
- 光導電減衰法による3C-SiC/Siの評価
- イオン注入層を表面にもつSiウェーハの表面再結合状態の非接触評価
- 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱
- 電気化学堆積法によるCdS薄膜のラマン散乱
- 液相成長Al_xGa_Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として
- RTPを施したSOI基板及びPINホトダイオードの特性評価 : DLTS測定を中心として
- Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として
- 貼り合わせSOI基板のDLTS測定による評価、及びPINホトダイオードの製作、素子特性評価
- p形無転位Siのライフタイムに及ぼす熱処理およびLiド-ピング効果