RTPを施したSOI基板及びPINホトダイオードの特性評価 : DLTS測定を中心として
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概要
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短時間熱処理(RTA:Rapid Thermal Annealing)を施した貼り合わせSOI(Silicon-on-Insulator)ウェーハ上に形成したPINホトダイオードの電気的特性を測定した。厚さ:10,30,100μmのSOI層のうち、DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)測定により厚さ100μmのSOI層中に観測された深い準位(Ec-Et=約0.55eV)は、RTAを施した後そのトラップ濃度が減少した。これらSOI層上に形成されたPINホトダイオードの素子特性を評価した。逆方向電流-電圧測定により厚さ100μmのSOI層上の素子では、RTAを施していない試料に比べ暗電流が減少した。SOI層中のトラップ濃度のRTAによる減少により改善されたと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
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