微小電極間に架橋した酸化亜鉛ウィスカーの水溶液からの直接成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Zinc oxide (ZnO) whiskers were directly synthesized onto the interdigital structured electrodes with 10<I>μ</I>m gap through an aqueous solution process. X-ray diffraction (XRD) patterns, photoluminescence of the whiskers at room temperature and field emission-scanning electron microscope (FE-SEM) images showed that the main products were wurtzite ZnO whiskers like hexagonal columns. The whiskers obtained have more than 10<I>μ</I>m long and several <I>μ</I>m wide. A few whiskers which were strongly bridging the electrodes could be selectively left by applying ultrasonic waves for several ten minutes. Photoconductivity of the whiskers at 390nm was clearly seen with 5V bias. The same characters of whiskers are kept over a long period of time, more than 2months.
- 日本材料学会の論文
著者
-
今本 浩史
オムロン(株) 技術本部 コアテクノロジーセンター
-
藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
-
今本 浩史
BEANSプロジェクト
-
亀谷 圭介
京都大学国際融合創造センター
-
今本 浩史
オムロン株式会社
-
DUMONT Hérve
オムロン(株)先端デバイス研究所
-
今本 浩史
オムロン(株)先端デバイス研究所
関連論文
- 半導体への電界の浸みこみを考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析
- 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収結合断裂
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- 赤色LEDのセンサへの応用 (可視発光ダイオードの進展)
- AlGaInP点光源LEDの信頼性評価
- 半導体への電界の浸みこみを考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 界面準位を考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析
- サファイアナノステップを用いた2次元APC導入MgB_2薄膜の作製と評価
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- 光利用効率を従来比2倍に高めた高輝度LED (特集2 材料加工革新による電子部品の高機能化)
- Preparation and Electrical Properties of PZT Thin Film Capacitors for Ferroelectric Random Access Memory
- Preparation of La-Modified Lead Titanate Film Capacitors and Influence of SrRuO_3 Electrodes on the Electrical Properties
- バルクZnO基板の特性とホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 有機薄膜マルチ構造の真空作製と発光ダイナミクス
- Zn系薄膜の各種作製法とその諸特性
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- OME2000-52 有機EL薄膜へのC_添加効果
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- ファインチャネルミスト法によるZnO透明薄膜の作製とその特性(半導体エレクトロニクス)
- MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
- 原子価不整合系の半導体へテロ構造におけるバンド不連続量の制御
- Comparative Study of Photoluminescence Dynamics of Tris (8-hydroxyquinoline) Aluminum-Based Organic Miltilayer Structures with Different Types of Energy Lineups
- Photoluminescence Dynamics of Aluminumquinoline/Oxadiazole Multilayer Structures
- Optical Properties of Aluminumquinoline-Oxadiazole Codeposited Luminescent Layers
- Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method
- Selective formation of ZnO nanodots on nanopatterned substrates by metalorganic chemical vapor deposition
- Self-organized ZnO quantum dots on SiO2/Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition
- 第5回「科学と生活のフェスティバル」の報告
- 半導体ナノ構造の自己形成とその制御 : 酸化亜鉛半導体ナノドットを例に
- Ferroelectric and Pyroelectric Properties of Ba_Pb_x Ti_(Hf_,Zr_)_O_3 Thin Films : Electrical Properties of Condensed Matter
- Ferroelectric SrxBa1-xNb2O6 Synthesized by YAG Laser Deposition
- Preparation and Ferroelectric Properties of BaTiO3 Related Thin Films
- Preparation and Ferroelectric Properties of Ti-Site Substituted BaTiO_3 Thin Films
- The Role of Growth Rates and Buffer Layer Structures for Quality Improvement of Cubic GaN Grown on GaAs
- Properties and Degradation of Polarization Reversal of Soft BaTiO_3 Ceramics for Ferroelectric Thin-Film Devices
- 製品技術紹介 高輝度DR-LED--従来比2倍の明るさを実現
- AlGaInP点光源LEDの信頼性評価
- 微小電極間に架橋した酸化亜鉛ウィスカーの水溶液からの直接成長
- 圧電曲げ駆動式2次元光スキャナの最適構造設計--ミラーの変位角拡大と耐衝撃性向上のトレードオフ問題の解決
- ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 : 大気圧下、低温成長への挑戦
- ZnOの基本物性と光デバイス応用
- W2201 第一回マイクロ・ナノ工学専門会議若手サマースクール(ワークショップ)
- MNM-P11-2 ゲート・チャネル間の電気機械相互作用を考慮したVB-FETのモデリング(P11 電気等価回路から考えるMEMS設計手法)
- 微小電極間に架橋した酸化亜鉛ウィスカーの水溶液からの直接成長
- 高い電流利得を有するVibrating-Body Field-Effect Transistorの提案
- D-1-5 Coupled Vibrating-Body Field Effect Transistorの特性解析(D-1 マイクロアクチュエータ,口頭発表:マイクロナノメカトロニクス)
- D-2-5 カンチレバー表面のエッチングダメージが及ぼす機械特性への影響評価手法の提案(D-2 設計・プロセス,口頭発表:マイクロナノメカトロニクス)