MeVイオン注入による固体表面の隆起
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概要
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Surface swelling of sintered silicon-nitride, sintered alumina and single crystal sapphire implanted with 0.7-3 MeV N<SUP>+</SUP>. Si<SUP>+</SUP> and Ni<SUP>+</SUP> ions to 5×10<SUP>13</SUP>-5×10<SUP>17</SUP> ions/cm<SUP>2</SUP>, were evaluated by measuring the step height of the implanted region with a surface profile meter. The swelling became measurable when the dose exceeded 1×10<SUP>14</SUP>-1×10<SUP>15</SUP> ions/cm<SUP>2</SUP>, increased with increasing dose, then saturated. In the case of implantation of heavier ions or for low temperature implantation, the dose required to induce a measurable swelling is lower and the step height for saturation is higher. The step height profile versus dose for silicon-nitride is not similar to the one for alumina or sapphire. The swelling of the single crystal is larger than that of the sintered material, generally. After the annealing (1200°C, 1 hr in vacuum), the swelling is reduced about 30%. This phenomenon of surface swelling can be simulated semi-qualitatively by Monte Carlo calculation.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
-
斎藤 和雄
名古屋工業技術研究所
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宮川 草児
名古屋工業技術研究所
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池山 雅美
名古屋工業技術試験所
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丹羽 博昭
名古屋工業技術研究所
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宮川 佳子
名古屋工業技術研究所
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池山 雅美
(独)産業技術総合研究所サステナブルマテリアル研究部門
-
斎藤 和雄
名古屋工業技術試験所
-
池山 雅美
名古屋工業技術研究所
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