イオンインプランテーションによりSi_3N_4セラミックス上に形成された導電層のクラックゲージ及び歪ゲージとしての利用に関する研究
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概要
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An experimental study on the utilization of an electroconductive surface layer on a dielectric Si_3N_4 component formed by carbon ion (C^+) implantation as a crack gage and a strain gage was conducted. Surface cracks were generated by the Vickers indentation. The electrical resistance of the electro-conductive layer increased with the generation of the surface cracks. The resistance was also influenced by stresses which appeared in the layer. Variation of electrical resistance caused by cracking and stresses was so small that the resisitance must have been measured with high accuracy.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1993-01-01
著者
-
中村 守
名古屋工研
-
中村 守
名古屋工業技術研究所
-
重松 一典
産業技術総合研究所中部センター
-
重松 一典
名古屋工業技術研究所
-
斉藤 和雄
名古屋工業技術試験所
-
池山 雅美
名古屋工業技術試験所
-
小塚 晃透
名古屋工業技術試験所
-
池山 雅美
(独)産業技術総合研究所サステナブルマテリアル研究部門
-
池山 雅美
名古屋工業技術研究所
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