Electronic structure of octane on Cu(111) and Ni(111) studied by near edge X-ray absorption fine structure
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概要
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The electronic structure of an octane film grown on Cu(1 1 1) and Ni(1 1 1) was studied using C K-edge near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS). A pre-peak was observed on the bulk edge onset for the 1 ML thick octane films on the metal substrates. The pre-peak originated from metal induced gap states (MIGS) in the band gap of octane. The intensity of the pre-peak for octane/Ni(1 1 1) was the same as that of octane/Cu(1 1 1), suggesting that there was little difference in the density of unoccupied MIGS between the octane film on Ni(1 1 1) and Cu(1 1 1). We discuss the metal dependence of the density of unoccupied MIGS on the band structure of the metals.
- Elsevier B.V.の論文
- 2007-09-15
著者
-
Kondoh H
Ricoh Co. Ltd. Miyagi Jpn
-
Ohta T
National Institute For Research In Inorganic Materials
-
Ohta T
Institute For Nonlinear Sciences And Applied Mathematics Graduate School Of Sciences Hiroshima Unive
-
Sasaki K
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Ohta Toshiaki
Department Of Chemistry School Of Science The University Of Tokyo
-
Ohta T
Department Of Chemistry Graduate School Of Science The University Of Tokyo
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