ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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概要
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ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性を2次元数値解析し,その結果をゲートフィールドプレート構造の場合と比較した。ドレインラグの低減の割合は両者で同程度となったが,ゲートラグの低減割合はソースフィールドプレート構造の方が小さくなり,電流コラプスの低減割合もやや小さくなった。これは,ゲートのドレイン端の電界がオフ状態でより高くなりトラッピング効果が大きくなるためである。このため,オフ状態の耐圧もソースフィールトプレート構造の方がやや低くなった。バッファ層に起因した電流コラプスを最小限にするためには,SiN絶縁膜の厚さにある最適値が存在することが示唆された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-10
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