コレクタアップHBTの遮断周波数特性に与えるキャリアブロッキング効果と表面準位効果の2次元解析
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概要
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AlGaAs/GaAsコレクタアップHBTの遮断周波数(f_T)特性の2次元シミュレーションを行い, いわばキャリアブロッキング効果によるf_Tの劣化現象について検討した. その結果, べース電極を真性コレクタに近づけることによりブロックされたキャリアが吸収されf_Tの劣化を抑制できることがわかった. ただし, ペース電流増大による増幅率の劣化を伴う. また, 表面準位の存在がf_Tに与える影響を調べた. その結果, 表面準位層にキャリアが流れ込むことに起因したキャリア蓄積現象を生じ, べース遅延時間の増大, f_Tの著しい劣化を招くことがわかった. これらの現象を避け高いf_Tと増幅率を維持するには, コレクタ幅をエミッタ幅よりかなり広くとる必要があることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
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