GaAs MESFETのターンオン特性に与える基板内トラップの影響の解析
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概要
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半絶縁性基板内のトラップがGaAs MESFETのゲートターンオン特性に与える影響を2次元シミュレーションにより調べた。オフ状態のゲート電圧がしきい値電圧(ピンチオフ電圧)より負で大きいとき、アンドープ半絶縁性基板の場合には、基板内の電子トラップEL2に起因した特異な電流オーバーシュートとそれに引き続く緩やかなトランジェントが見られることが示された。表面準位の影響が大きくゲートラグが顕著になる場合でも、早い時間帯でオーバーシュートを示す方向に向かうことが示唆された。正孔トラップを含むCrドープ基板の場合についても検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
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