表面準位を考慮したGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション
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概要
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GaAs MESFETの電流電圧特性やターンオン特性に与える表面準位の影響を2次元シミュレーションにより調べた。これらの特性は本質的に深いアクセプタ型の準位により決定づけられた。この準位が電子トラップとして働くか正孔トラップとして働くかによりターンオン特性が劇的に変化した。この準位に起因する遅いトランジェント(ゲートラグ)の要因について詳しく検討すると共に、その軽減策についても述べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-14
著者
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