コレクタアップHBTにおけるキャリアブロッキング効果と表面準位の影響の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
HBTの高周波特性を改善する目的で外部コレクタを (半) 絶縁化したり、外部コレクタのないコレクタアップHBTが検討されている。これらに関し、我々はコレクタ幅がエミッタ幅より狭くなると、「キャリアブロッキング効果」により外部べース中に電子が蓄積して実効的なべース遅延時間が増大し、遮断周波数f_T特性が著しく劣化することを2次元解析により示した。ここでは、f_T特性のべース電極と真性コレクタ間距離依存性について調べた。また、表面準位の存在がf_T特性に与える影響を2次元解析により調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
関連論文
- GaAs FETにおける基板および表面に起因したキンク現象の数値解析
- GaAs FETにおける基板および表面に起因したキンク現象の数値解析
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 (マイクロ波)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 (電子デバイス)
- GaAs MESFETにおける緩やかな電流応答とパワーコンプレッションの数値解析
- C-10-14 化合物半導体FETにおけるパワーコンプレッション(電流コラプス)の解析(C-10.電子デバイス)
- リセスゲート構造GaAS MESFETにおけるブレークダウン特性とゲートラグ現象の数値解析
- リセスゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグとブレークダウン特性との相関の解析
- リセスゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグとブレークダウン特性との相関の解析
- リセスゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグとブレークダウン特性との相関の解析
- GaAs FETにおける基板および表面に起因したキンク現象の解析
- リセスゲート構造および埋込みゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグの2次元解析
- GaAs MESFETの表面に起因したキンク現象の数値解析
- GaAs MESFETのターンオン特性に与える基板内トラップの影響の数値解析
- リセスゲートおよび埋込みゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグの解析
- リセスゲートおよび埋込みゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグの解析
- リセスゲートおよび埋込みゲート構造GaAsMESFETにおけるゲートラグの解析
- キンク現象を伴うGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション
- キンク現象を伴うGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション
- SC-10-6 リセスゲートGaAs MESFETのターンオン特性の2次元数値解析
- SC-10-6 リセスゲートGaAs MESFETのターンオン特性の2次元数値解析
- GaAs MESFETのターンオン特性に与える基板内トラップの影響の解析
- GaAs MESFETのターンオン特性に与える基板内トラップの影響の解析
- GaAs MESFETのターンオン特性に与える基板内トラップの影響の解析
- GaAs MESFETのゲートラグに与える表面準位の影響の2次元解析
- GaAs MESFETのターンオン特性に与える基板内トラップと表面準位の影響の解析
- リセス・ゲートGaAsMESFETにおけるゲートラグ現象の2次元数値解析
- リセス・ゲートGaAsMESFETにおけるゲートラグ現象の2次元数値解析
- リセス・ゲートGaAsMESFETにおけるゲートラグ現象の2次元数値解析
- リセス・ゲートGaAsMESFETにおけるゲートラグ現象の2次元数値解析
- GaAs MESFETにおけるゲートラグの2次元数値解析
- 表面準位を考慮したGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション
- C-10-19 キャリアの衝突イオン化と表面準位に起因したGaAs MESFETのキンク現象の解析
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-3 フィールドプレートAlGaN/GaN HEMTのラグ現象と電流コラプスの2次元解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaN系FETのバッファ層に起因した電流コラプスに与えるフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-13 GaN FETの電流スランプとゲートラグのゲート長及びトラップパラメータ依存性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-12 GaN系HEMTとMESFETにおけるラグ現象や電流スランプの類似性について(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 輸送パラメータの組成、エネルギーおよび不純物濃度依存性を考慮したヘテロ接合バイポーラトランジスタのエネルギー輸送モデル
- C-10-18 AlGaAs/GaAs HFETのターンオン特性に与える基板内トラップと表面準位の影響の解析
- コレクタアップHBTの遮断周波数特性に与えるキャリアブロッキング効果と表面準位効果の2次元解析
- コレクタアップHBTの遮断周波数特性に与えるキャリアブロッキング効果と表面準位効果の2次元解析
- コレクタアップHBTの遮断周波数特性に与えるキャリアブロッキング効果と表面準位効果の2次元解析
- コレクタアップHBTの遮断周波数特性に与えるキャリアブロッキング効果と表面準位効果の2次元解析
- コレクタアップHBTにおけるキャリアブロッキング効果と表面準位の影響の解析
- 輸送パラメータの組成依存性を考慮したHBTのエネルギー輸送モデル
- 絶縁外部コレクタを有するHBTのキャリアブロッキング効果とコレクタアップHBTの設計指針
- デバイスシミュレーション(化合物半導体)
- 化合物半導体デバイスのシュミレーション
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 (マイクロ波)
- 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析 (電子デバイス)
- C-10-1 ゲート及びソースフィールドプレートAlGaN/GaN HEMTのラグや電流コラプスの類似性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析
- 微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に与えるバッファ層内不純物とフィールドプレートの影響の解析
- ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象,電流コラプス及び耐圧特性の解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)