GaN系FETにおける緩やかな電流応答と電流コラプスの解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したGaN MESFETの2次元過渡解析を行い, その結果より模擬的なパルスI-V特性を求めた.得られたパルスI-V特性の電流値は定常状態のそれよりかなり低くなり, いわゆる電流コラプスがバッファ層内トラップの影響により生じうることが示された.電流コラプスはバッファ層内のアクセプタ濃度が高い程, またオフ状態のドレイン電圧が高い程顕著となった.バッファ層中のトラッピング効果はAlGaN/GaN HEMTにおけるアンドープGaN層中のそれと同様と思われる.GaN系FETにおける電流コラプスを軽減するには半絶縁性GaN層中のアクセプタ濃度を低くすべきことが示唆された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-12
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